三星(Samsung)近日宣布正式量產第5代V-NAND快閃記憶體，第5代V-NAND 堆疊層數超過90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸介面的NAND快閃記憶體，其單顆封裝的傳輸速度即可達1.4Gbps，相較於前一代64層的產品，傳輸速度提高了40%，並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。
三星電子快閃記憶體產品與技術執行副總裁Kye Hyun Kyung表示，第5代V-NAND解決方案將能滿足快速成長的高端儲存市場，此外，該公司除了宣布量產第5代V-NAND之外，未來也會為V-NAND陣容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的產品，這將繼續推動下一世代的NAND儲存解決方案發展。
據悉，第5代V-NAND快閃記憶體除了採用全新Toggle DDR 4.0傳輸介面提升速率之外，也進一步強化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫入速度也高達500us，比上一代V-NAND快閃記憶體提升了30%，而讀取速率的回應時間也縮短到50us。
此外，該產品內部堆疊超過90層電荷儲存式快閃記憶體(Charge Trap Flash, CTF) Cell，是目前市面堆疊層數最高的3D NAND TLC架構快閃記憶體；這些儲存單元透過微管道孔洞連接，每個孔洞只有幾百奈米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存3位元資料。
另一方面，第5代V-NAND快閃記憶體也透過製程技術的改善，使製造生產效率提升30%，並藉由先進製程技術，使每個快閃記憶體單元的高度降低20%，減少單位之間干擾的發生率，進而提高資料處理的效率。
三星指出，該公司目前正加強第5代V-NAND快閃記憶體的量產進程，以滿足廣泛的市場需求，像是高密度儲存領域，高效能運算、企業伺服器，以及行動裝置市場等。
